一种晶体硅片高温干法双面氧化工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅片高温干法双面氧化工艺，包括以下步骤：(1)进舟：将晶体硅片装舟后推进氧化炉管内；(2)温度稳定：调整氧化炉管内的温度；(3)氧化：在氧化炉内注入氧气和氮气对硅片进行氧化；(4)稳定：氧化完成后停止向氧化炉内供氧，调节氮气的流量和氧化炉内的温度；(5)退舟：把装有氧化后硅片的石英舟或石墨舟从氧化炉管中退出。该工艺成本低，工艺设备要求简单，且无需增加额外的设备，其通过在镀钝化膜前将晶体硅片置于氧化炉管中高温干法氧化生长一层氧化膜，与氮化硅薄膜形成性能优异的双层膜，该双层膜具备优异的钝化和减反射性能。

主权项

一种晶体硅片高温干法双面氧化工艺，其特征在于包括以下步骤：(1) 进舟：将晶体硅片装舟后推进氧化炉管内；(2) 温度稳定：调整氧化炉管内的温度；(3) 氧化：在氧化炉内注入氧气和氮气对硅片进行氧化；(4) 稳定：氧化完成后停止向氧化炉内供氧，调节氮气的流量和氧化炉内的温度；(5) 退舟：把装有氧化后硅片的石英舟或石墨舟从氧化炉管中退出。