新型碳化硅MOSFET

摘要

本发明涉及一种半导体器件，公开了一种应用于高压条件下的电气设备如交流电机、变频器、开关电源、牵引传动等场合的新型碳化硅MOSFET。它包括设于下端的漏极（1）、设于上端的源极（8）和栅极（9），漏极（1）上方依次连接有缓冲区（2）和漂移区（3），源极（8）下方设有源区（7），栅极（9）下方设有栅极绝缘层（5），所述源区（7）的下方设有P阱区（6），栅极绝缘层（5）下方设有P掺杂区（4）。本发明在普通MOSFET结构基础上，在栅极下的衬底表面增加浓度不高的掺杂区，使得在器件承受高压时，栅极绝缘层中的电场减弱，从而降低绝缘层击穿的几率，提高碳化硅MOSFET的整体耐压值。

主权项

新型碳化硅MOSFET，包括设于下端的漏极（1）、设于上端的源极（8）和栅极（9），漏极（1）上方依次连接有缓冲区（2）和漂移区（3），源极（8）下方设有源区（7），栅极（9）下方设有栅极绝缘层（5），其特征在于：所述栅极绝缘层（5）下方设有P掺杂区（4），P掺杂区（4）连接于漂移区（3）的右上部。