发明名称 |
一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法,该结构包括NMOS晶体管和与其源极相连的沟槽电容器,该沟槽电容器包括半导体衬底、交替排列的N型SiGe层和N型Si层、沟槽、电介质层和多晶硅层,沟槽位于交替排列的N型SiGe层和N型Si层内,深入至半导体衬底,其侧壁剖面为梳齿形,交替排列的N型SiGe层和N型Si层作为沟槽电容器的下极板,电介质层位于沟槽内壁表面,多晶硅层填充于沟槽内作为沟槽电容器的上极板;在交替排列的N型SiGe层和N型Si层之上还制备有P型Si层,所述NMOS晶体管制作于该P型Si层上。本发明方法用掺杂和外延技术交替生长N型SiGe层和N型Si层并用选择性刻蚀制作出梳齿形的侧壁,改进了DRAM中深槽式电容器的结构,简化了制作工艺。 |
申请公布号 |
CN101997000B |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201010264004.2 |
申请日期 |
2010.08.24 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
黄晓橹;陈静;张苗;王曦 |
分类号 |
H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/108(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种具有扩展型沟槽的DRAM结构,包括NMOS晶体管和与其源极相连的沟槽电容器,其特征在于,所述沟槽电容器包括:半导体衬底;交替排列的N型SiGe层和N型Si层,位于所述半导体衬底之上;沟槽,位于交替排列的N型SiGe层和N型Si层内,深入至半导体衬底,其侧壁剖面为梳齿形,其中,交替排列的N型SiGe层和N型Si层作为所述沟槽电容器的下极板;选择性刻蚀进入N型SiGe层的深度小于对应NMOS晶体管沟道的长度;电介质层,位于所述沟槽内壁表面;第一多晶硅层,填充于所述沟槽内作为所述沟槽电容器的上极板;在所述沟槽电容器的交替排列的N型SiGe层和N型Si层之上还制备有P型Si层,所述NMOS晶体管制作于该P型Si层上。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |