发明名称 |
高质量石墨烯透明导电膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明的课题是提供高质量石墨烯透明导电膜及其制备方法。解决的手段是,制备方法包括,使在催化剂上形成有机物薄膜层、之后一起置于密封容器内;利用微波辅助加热密封容器使有机物分解得到生长于催化剂表面的石墨烯薄膜;将所述生长于催化剂表面的石墨烯薄膜转移到目标衬底上得到石墨烯透明导电膜。本发明操作简单,成本低廉,可得到缺陷少、导电性好、质量高的石墨烯。本发明制备得到的石墨烯可在光电器件如铜铟镓硒、碲化镉、染料敏化等太阳能电池,平板显示、超级电容器、场发射材料、锂离子电池等领域中有广阔的应用前景。 |
申请公布号 |
CN102543269A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201210019854.5 |
申请日期 |
2012.01.20 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
黄富强;林天全 |
分类号 |
H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01B5/14(2006.01)I |
代理机构 |
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 |
代理人 |
曹芳玲 |
主权项 |
一种高质量石墨烯透明导电膜的制备方法,其特征在于,包括在催化剂上形成有机物薄膜层、之后置于密闭容器内;利用微波辅助加热密闭容器使有机物分解得到生长于催化剂表面的石墨烯薄膜;将所述生长于催化剂表面的石墨烯薄膜转移到目标衬底上得到石墨烯透明导电膜。 |
地址 |
200050 上海市长宁区定西路1295号 |