发明名称 锂电池保护电路
摘要 本发明公开了一种锂电池保护电路,该保护电路包括:电平移位电路、功率管、具有第一、第二输出端的逻辑电路。电平移位电路包括:第四NMOS管,与第一输出端经由第四PMOS管相连;第八NMOS管,与第二输出端经由第六PMOS管相连;第一、第二晶体管组,均包括相互串联的至少一个NMOS管,且分别与第四NMOS管、第八NMOS管的源极、漏极相并联;第七PMOS管,与第二输出端经由第一反相器相连;第十二NMOS管,其栅极、源极分别与第八NMOS管的漏极、源极相连,其漏极与第七PMOS管的漏极、功率管的栅极均相连;上述NMOS管中至少有一个为低压NMOS管。该保护电路使用低压NMOS管就能解决耐高压问题。
申请公布号 CN102545162A 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201010581451.0 申请日期 2010.12.09
申请人 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 发明人 雷顺辉
分类号 H02H7/18(2006.01)I 主分类号 H02H7/18(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 常亮;李辰
主权项 一种锂电池保护电路,包括逻辑电路、电平移位电路、功率管,所述逻辑电路包括第一输出端、第二输出端;其特征在于,电平移位电路包括:第四NMOS管,与第一输出端经由第四PMOS管相连;第一晶体管组,包括相互串联的至少一个NMOS管,第一晶体管组与第四NMOS管的源极、漏极相并联;第八NMOS管,与第二输出端经由第六PMOS管相连;第二晶体管组,包括相互串联的至少一个NMOS管,第二晶体管组与第八NMOS管的源极、漏极相并联;第七PMOS管,与第二输出端经由第一反相器相连;第十二NMOS管,第十二NMOS管的栅极、源极分别与第八NMOS管的漏极、源极相连,第十二NMOS管的漏极与第七PMOS管的漏极、功率管的栅极均相连;上述NMOS管中至少有一个为低压NMOS管。
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