制作具有超接口的功率半导体组件的方法

摘要

本发明公开了制作具有超接口的功率半导体组件的方法包含有：提供具有一第一导电类型的一基底；于基底上形成至少一栅极结构与设于栅极结构上的至少一掩膜层；于栅极结构与掩膜层的侧壁上形成一间隙壁，且暴露出部分基底；移除部分暴露出的基底，以形成至少一沟槽；于沟槽中填入一掺质来源层，其中掺质来源层包含有具有一第二导电类型的多个掺质；以及，进行一热驱入工艺，将掺质扩散至基底中，以形成具有第二导电类型的一基体掺杂区。借此，可不受沟槽的侧壁平整度的影响形成平整的超接口，且有效提升功率半导体组件的耐压能力。

主权项

一种制作具有超接口的功率半导体组件的方法，其特征在于，包含有：提供一基底，且所述基底具有一第一导电类型；于所述基底上形成至少一栅极结构与至少一掩膜层，且所述掩膜层设于所述栅极结构上；于所述栅极结构与所述掩膜层的至少一侧壁上形成一间隙壁，且暴露出部分所述基底；移除部分暴露出的所述基底，以形成至少一沟槽；于所述沟槽中填入一掺质来源层，其中所述掺质来源层包含有多个掺质，且所述掺质具有一第二导电类型；以及进行一热驱入工艺，将该等掺质扩散至所述基底中，以形成具有所述第二导电类型的一基体掺杂区，且所述基体掺杂区与所述基底之间构成一超接口。