改善电流传输的LED芯片

摘要

本发明涉及一种改善电流传输的LED芯片，其包括衬底及位于所述衬底上的N型氮化镓层、量子阱及P型氮化镓层；所述P型淡化基层上覆盖有第一透明导电层，第一透明导电层上覆盖有第二透明导电层，所述第二透明导电层上设有电连接的P电极；所述P电极的正下方设有透明的电流扩散控制绝缘层。本发明第一透明导电层与第二透明导电层间设置电流扩散控制绝缘层，电流扩散控制绝缘层位于P电极的正下方，并能够完全遮挡P电极；通过电流扩散控制绝缘层能改变LED工作时的电流路径，使得发光区域位于电流扩散控制绝缘层的四周，远离P电极，避免P电极对光线的吸收，提高出光效率，结构紧凑，安全可靠。

主权项

一种改善电流传输的LED芯片，包括衬底（1）及位于所述衬底（1）上的N型氮化镓层（2）、量子阱（3）及P型氮化镓层（4）；其特征是：所述P型淡化基层（4）上覆盖有第一透明导电层（5），第一透明导电层（5）上覆盖有第二透明导电层（6），所述第二透明导电层（6）上设有电连接的P电极（8）；所述P电极（8）的正下方设有透明的电流扩散控制绝缘层（7）。