发明名称 |
固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法和照相机 |
摘要 |
本发明涉及固态图像传感器、制造固态图像传感器的方法以及照相机。固态图像传感器包括:第一导电类型的第一半导体区;第二导电类型的第二半导体区,所述第二半导体区被布置为与第一半导体区的底面接触并且用作电荷蓄积区域;第三半导体区,所述第三半导体区包括由第二半导体区包围的侧面;与第二半导体区分隔地布置的第二导电类型的第四半导体区;以及传递栅极,所述传递栅极用于形成用于将第二半导体区中蓄积的电荷传递到第四半导体区的沟道。第三半导体区是第一导电类型的半导体区和杂质浓度比第二半导体区中的杂质浓度低的第二导电类型的半导体区中的一个。 |
申请公布号 |
CN102544036A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201110410224.6 |
申请日期 |
2011.12.12 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
篠原真人 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I;H04N5/374(2011.01)I;G03B17/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
欧阳帆 |
主权项 |
一种固态图像传感器,包括:第一导电类型的第一半导体区;第二导电类型的第二半导体区,所述第二半导体区被布置为与所述第一半导体区的底面接触并且用作电荷蓄积区域;第三半导体区,所述第三半导体区包括由所述第二半导体区包围的侧面;与所述第二半导体区分隔地布置的第二导电类型的第四半导体区;以及传递栅极,所述传递栅极用于形成用于将所述第二半导体区中蓄积的电荷传递到所述第四半导体区的沟道,其中所述第三半导体区是第一导电类型的半导体区和杂质浓度比所述第二半导体区中的杂质浓度低的第二导电类型的半导体区中的一个。 |
地址 |
日本东京 |