发明名称 硬掩模组合物和形成图案的方法、以及包括图案的半导体集成电路器件
摘要 本发明提供了硬掩模组合物和形成图案的方法、以及包括图案的半导体集成电路器件。所述硬掩模组合物包括含芳环化合物和溶剂,所述含芳环化合物包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分中的至少一种。在化学式1或2中,Ar、R<sub>1</sub>至R<sub>3</sub>以及n如在详细描述中所定义。此外,提供了通过使用硬掩模组合物用于形成图案的方法、以及包括通过图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。根据本发明的硬掩模组合物具有优异的间隙填充性能和平面化特性以及改善的耐蚀刻性和光学性能。[化学式1]<img file="DDA0000099505880000011.GIF" wi="499" he="147" />[化学式2]<img file="DDA0000099505880000012.GIF" wi="725" he="147" />
申请公布号 CN102540729A 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201110315277.X 申请日期 2011.10.17
申请人 第一毛织株式会社 发明人 金旼秀;田桓承;宋知胤;金永珉;李哲虎;李忠宪
分类号 G03F7/09(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/11(2006.01)I 主分类号 G03F7/09(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 李丙林;张英
主权项 1.一种硬掩模组合物,包含:含芳环化合物和溶剂,所述含芳环化合物包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分中的至少一种:[化学式1]<img file="FDA0000099505860000011.GIF" wi="499" he="147" />[化学式2]<img file="FDA0000099505860000012.GIF" wi="725" he="149" />其中,在化学式1或2中,Ar是芳环基团,R<sub>1</sub>至R<sub>3</sub>各自独立地是单键、取代或未取代的C1至C30亚烷基基团、取代或未取代的C3至C30亚环烷基基团、取代或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代或未取代的C3至C30亚环烯基基团、取代或未取代的C7至C20亚芳烷基基团、取代或未取代的C1至C20亚杂烷基基团、取代或未取代的C2至C30亚杂环烷基基团、取代或未取代的C2至C30亚杂芳基基团、取代或未取代的C2至C30亚烯基基团、取代或未取代的C2至C30亚炔基基团、或它们的组合,以及n是1至100。
地址 韩国庆尚北道