通过N型半导体局部表面能级解钉扎优化金半接触结构的方法

摘要

本发明属于微电子技术领域，具体为一种通过N型半导体衬底局部表面费米能级解钉扎优化金半接触结构的方法。本发明利用PS微球作为掩膜，将单层密布的PS微球作为模板，结合反应离子刻蚀技术，对半导体衬底进行刻蚀形成期望的图形。进而在PS微球的掩蔽下，淀积金属接触电极，然后去除PS微球，经退火处理，形成局部高势垒金半接触。再对暴露出的半导体表面实行局部解钉扎处理，再次淀积同一种金属电极材料形成低势垒金半接触，从而最终在同一块半导体衬底上实现高低势垒在金半接触界面上的规律分布，因而提高正向工作电流、降低反向漏电流。本发明通PS球自对准刻蚀技术与局部解钉扎技术的结合，达到了良好的金半接触结构优化效果。

主权项

一种通过N型半导体局部表面费米能级解钉扎优化金半接触结构的方法，其特征在于具体步骤为：（1）将PS微球通过超声振荡均匀分散于乙醇溶液中；（2）通过旋涂法在已经过清洁处理的N型半导体衬底表面形成紧密排列的PS微球单层膜；（3）利用氧等离子体反应离子刻蚀技术对PS球进行刻蚀，将PS微球的直径进行缩减，达到预期的直径后，停止刻蚀； （4）以PS微球阵列作为掩模，利用CF4+Ar等离子体RIE技术对衬底材料进行刻蚀；（5）利用PVD技术大面积淀积金属电极；（6）在丙酮溶液中超声振荡，去除衬底表面的PS微球，烘干并退火，形成稳定的金属半导体接触；（7）利用超薄介质层生成技术在半导体表面生成具有解钉扎效果的超薄介质层，此时金属表面亦有超薄介质层出现；（8）利用PVD技术大面积淀积与步骤（5）相同的金属电极，不再进行退火处理。