发明名称 |
荷电镶嵌膜 |
摘要 |
本发明涉及荷电镶嵌膜,其特征在于,含有以乙烯醇系聚合物嵌段(A)和具有阳离子性基团的聚合物嵌段(B)作为构成成分的阳离子性嵌段共聚物(P)、和以乙烯醇系聚合物嵌段(C)和具有阴离子性基团的聚合物嵌段(D)作为构成成分的阴离子性嵌段共聚物(Q)。这样的荷电镶嵌膜的膜强度高、选择渗透性和荷电密度高、盐的渗透通量大,因此作为压力透析用的荷电镶嵌膜是有用的。 |
申请公布号 |
CN102548646A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201080025729.4 |
申请日期 |
2010.04.08 |
申请人 |
国立大学法人山口大学;可乐丽股份有限公司 |
发明人 |
比嘉充;直原敦;小林谦一;藤原直树 |
分类号 |
B01D69/02(2006.01)I;B01D71/38(2006.01)I;B01D71/80(2006.01)I;C08J5/22(2006.01)I |
主分类号 |
B01D69/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
庞立志;高旭轶 |
主权项 |
荷电镶嵌膜,其含有以乙烯醇系聚合物嵌段(A)和具有阳离子性基团的聚合物嵌段(B)作为构成成分的阳离子性嵌段共聚物(P)、和以乙烯醇系聚合物嵌段(C)和具有阴离子性基团的聚合物嵌段(D)作为构成成分的阴离子性嵌段共聚物(Q)。 |
地址 |
日本国山口县山口市 |