发明名称 荷电镶嵌膜
摘要 本发明涉及荷电镶嵌膜,其特征在于,含有以乙烯醇系聚合物嵌段(A)和具有阳离子性基团的聚合物嵌段(B)作为构成成分的阳离子性嵌段共聚物(P)、和以乙烯醇系聚合物嵌段(C)和具有阴离子性基团的聚合物嵌段(D)作为构成成分的阴离子性嵌段共聚物(Q)。这样的荷电镶嵌膜的膜强度高、选择渗透性和荷电密度高、盐的渗透通量大,因此作为压力透析用的荷电镶嵌膜是有用的。
申请公布号 CN102548646A 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201080025729.4 申请日期 2010.04.08
申请人 国立大学法人山口大学;可乐丽股份有限公司 发明人 比嘉充;直原敦;小林谦一;藤原直树
分类号 B01D69/02(2006.01)I;B01D71/38(2006.01)I;B01D71/80(2006.01)I;C08J5/22(2006.01)I 主分类号 B01D69/02(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 庞立志;高旭轶
主权项 荷电镶嵌膜,其含有以乙烯醇系聚合物嵌段(A)和具有阳离子性基团的聚合物嵌段(B)作为构成成分的阳离子性嵌段共聚物(P)、和以乙烯醇系聚合物嵌段(C)和具有阴离子性基团的聚合物嵌段(D)作为构成成分的阴离子性嵌段共聚物(Q)。
地址 日本国山口县山口市