发明名称 |
下电极装置和半导体设备 |
摘要 |
本发明公开了一种下电极装置和半导体设备。该下电极装置包括下电极、匹配器和射频电源,所述匹配器和所述射频电源连接,所述匹配器通过连接体连接于所述下电极上。本发明采用的连接体可通过较大的电流,满足了大电流的要求,无需定制超大规格的连接器和电缆,从而降低了成本以及节省了开发时间;无需定制超大规格的连接器和电缆,有效避免了由于定制的连接器和电缆的通用性低而导致的设备可维护性低的问题,从而提高了设备的可维护性;无需定制超大规格的连接器和电缆,有效避免了采用定制的超大规格的连接器和电缆而导致的设备可靠性低的问题,从而提高了设备的可靠性。 |
申请公布号 |
CN102548179A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201010591768.2 |
申请日期 |
2010.12.08 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
陈鹏 |
分类号 |
H05H1/46(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H05H1/46(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
张天舒;陈源 |
主权项 |
一种下电极装置,包括:下电极、匹配器和射频电源,所述匹配器和所述射频电源连接,其特征在于,所述匹配器通过连接体连接于所述下电极上。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 |