掩膜层的刻蚀方法、刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法

摘要

一种掩膜层的刻蚀方法，该掩膜层至少包括中间掩膜层与有机物掩膜层；该掩膜层采用等离子体干法刻蚀，刻蚀过程中施加等离子射频激励电压以产生等离子体；所述掩膜层的刻蚀包括步骤：首先以图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀下方的中间掩膜层，形成图形化的中间掩膜层；接着施加脉冲式偏置射频电压并以图形化的中间掩膜层为掩膜刻蚀下方的有机物掩膜层，形成图形化的有机物掩膜层；其中等离子射频激励电压的频率高于所述脉冲式偏置射频电压的频率。本发明还提供了掩膜层的刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法。采用本发明提供的技术方案，实现条件简单且成本低。

主权项

一种掩膜层的刻蚀方法，其特征在于，所述掩膜层至少包括中间掩膜层与有机物掩膜层；所述掩膜层采用等离子体干法刻蚀，所述等离子体干法刻蚀过程中施加等离子射频激励电压以产生等离子体；所述掩膜层的刻蚀包括步骤：以图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀下方的中间掩膜层，形成图形化的中间掩膜层；施加脉冲式偏置射频电压并以图形化的中间掩膜层为掩膜刻蚀下方的有机物掩膜层，形成图形化的有机物掩膜层；其中所述等离子射频激励电压的频率高于所述脉冲式偏置射频电压的频率。