半导体装置的单片化方法

摘要

提供一种半导体装置的单片化方法，不会对在半导体基板上形成的MEMS的机械结构体造成振动、冲击。该方法是使半导体基板单片化的方法，该半导体基板具有：具有形成微小机械结构体的第1区域、和包围上述第1区域且形成划线的第2区域的第1面；以及具有与上述第1面对置并与形成上述微小机械结构体的上述第1区域相对应的第3区域、和包围上述第3区域且与上述第2区域相对应的第4区域的第2面，其特征在于该半导体装置的单片化方法包括：使与在上述第1面的上述第2区域上形成的划线相对应的上述第2面的上述第4区域薄膜化的步骤，以及沿着在上述第1面的上述第2区域上形成的上述划线切断上述半导体基板的步骤。

主权项

一种半导体装置的单片化方法，是把半导体基板单片化的方法，该半导体基板具有：具有形成微小机械结构体的第1区域、和包围上述第1区域且形成划线的第2区域的第1面；以及与上述第1面对置并具有与形成上述微小机械结构体的上述第1区域相对应的第3区域、和包围上述第3区域且与上述第2区域相对应的第4区域的第2面，其特征在于该方法包括：使与在上述第1面的上述第2区域上形成的上述划线相对应的上述第2面的上述第4区域薄膜化，以使上述划线的区域的膜厚薄膜化达到5～10μm的步骤，以及沿着在上述第1面的上述第2区域上形成的上述划线切断上述半导体基板的步骤，切断上述半导体基板的步骤是通过划片载带将上述半导体固定到支持基板上进行的，在切断上述半导体基板的步骤之后，利用UV照射使上述划片载带的粘接力减弱，再将单片化后的半导体装置取下。