发明名称 |
功率型LED高散热性能封装结构 |
摘要 |
一种功率型LED高散热性能封装结构,包括基座、大功率LED芯片和封装组件,所述基座上设置有穿孔,所述穿孔中设置有高导热率绝缘散热材料块,所述大功率LED芯片贴合在高导热率绝缘散热材料块上。本实用新型由于采用将设置在基座的穿孔中的高导热率绝缘散热材料块作为大功率LED芯片的散热基座,并将大功率LED芯片直接装贴在该高导热率绝缘散热材料块上,从而使大功率LED芯片的散热路径极短,热阻减少明显,因此大功率LED芯片产生的热量能够快速有效地从工作区导出并散发,从而有效地降低了节温,使大功率LED芯片的稳定性和可靠性得到极大的增强,使用寿命长,而且本实用新型结构简单可靠、制造方便、外观造型灵活多变。 |
申请公布号 |
CN202308042U |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201120404897.6 |
申请日期 |
2011.10.22 |
申请人 |
华南师范大学 |
发明人 |
刘小平;范广涵;郑树文;张涛;姚光锐;张瀚翔 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
广东世纪专利事务所 44216 |
代理人 |
刘润愚 |
主权项 |
一种功率型LED高散热性能封装结构,包括基座(1)、大功率LED芯片(2)和封装组件(3),其特征在于所述基座(1)上设置有穿孔(11),所述穿孔(11)中设置有高导热率绝缘散热材料块(4),所述大功率LED芯片(2)贴合在高导热率绝缘散热材料块(4)上。 |
地址 |
510631 广东省广州市天河区中山大道西55号华南师范大学光电子材料与技术研究所 |