半导体结构及其形成方法

摘要

本发明揭示一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括半导体基底、与N型金属氧化物半导体装置在上述半导体基底的表面，其中上述N型金属氧化物半导体装置具有与半导体基底具有肖特基接触的肖特基源极/漏极延伸区。上述一种半导体结构还包括P型金属氧化物半导体装置在上述半导体基底的上述表面，其中上述P型金属氧化物半导体装置具有源极/漏极延伸区，上述源极/漏极延伸区仅仅具有非金属材料。可为上述P型金属氧化物半导体装置与上述N型金属氧化物半导体装置二者，形成上述肖特基源极/漏极延伸区，其中将上述P型金属氧化物半导体装置形成于具有低价带的半导体层的上方，可减少上述P型金属氧化物半导体装置的肖特基势垒。

主权项

一种半导体结构，包括：半导体基底；N型金属氧化物半导体装置在该半导体基底的表面，该N型金属氧化物半导体装置具有：第一栅极介电质于该半导体基底上，其中该第一栅极介电质下的该半导体基底具有第一价带；第一栅极于该第一栅极介电质上；第一栅极间隔物于该第一栅极的侧壁与该第一栅极介电质的侧壁上；及第一源极/漏极延伸区具有内缘，该第一源极/漏极延伸区的内缘实质上对准该第一栅极间隔物的外缘，其中该第一源极/漏极延伸区为金属硅化物区，该金属硅化物区与该半导体基底具有肖特基接触；以及P型金属氧化物半导体装置于该半导体基底的该表面，该P型金属氧化物半导体装置具有：第二栅极介电质于该半导体基底上；第二栅极于该第二栅极介电质上；第二栅极间隔物于该第二栅极的侧壁与该第二栅极介电质的侧壁上，其中该第二栅极间隔物厚于该第一栅极间隔物；第二源极/漏极延伸区具有内缘，该第二源极/漏极延伸区的内缘实质上对准该第二栅极介电质的边缘，其中该第二源极/漏极延伸区与该半导体基底具有欧姆接触；源极/漏极区相邻于该第二栅极介电质，其中该源极/漏极区实质上对准该第二栅极间隔物的外缘，其中该P型金属氧化物半导体区域具有附加的半导体层于该半导体基底上，且该附加的半导体层具有第二价带，其低于该第一价带，且该第二源极/漏极延伸区具有下表面，其低于该附加的半导体层的上表面；及硅化物区于该源极/漏极区上，其中该第一源极/漏极延伸区与该硅化物区具有相同的金属。