相变存储器装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种相变存储器装置，包括：基板；电极层，形成于上述基板上；相变存储器结构，形成于上述电极层上，且电连接至上述电极层，其中上述相变存储器结构包括：杯形加热电极，设置于上述电极层上；绝缘层，沿第一方向设置于上述杯形加热电极上，且部分覆盖于上述杯形加热电极；电极结构，沿第二方向设置于上述杯形加热电极上，且部分覆盖于上述绝缘层和上述杯形加热电极；一对双层间隙壁，设置于上述电极结构的一对侧壁上，且部分覆盖于上述杯形加热电极，上述双层间隙壁包括相变材料间隙壁和绝缘材料间隙壁。

主权项

一种相变存储器装置，包括：基板；电极层，形成于该基板上；介电层，形成于该电极层上；以及相变存储器结构，形成于该介电层中，且电连接至该电极层，其中该相变存储器结构包括：杯形加热电极，设置于该介电层的杯型开口中，其中该杯形加热电极包括导电层，该导电层部分覆盖该杯型开口的侧壁，其中该导电层的俯视图为U形；电极结构，设置于该杯形加热电极上，且部分覆盖该杯形加热电极；一对双层间隙壁，设置于该电极结构的一对侧壁上，且部分覆盖该杯形加热电极，该双层间隙壁包括相变材料间隙壁和设置于其侧壁上的绝缘材料间隙壁。