发明名称 |
聚焦环以及等离子体处理装置 |
摘要 |
本发明提供一种聚焦环以及等离子体处理装置,在耐等离子体性和相对于高频电场的屏蔽性双方均优异。该聚焦环是安装在配设于实施等离子体处理的处理室内的电极的周缘部上的、层叠介电常数不同的多个介电体的多层结构聚焦环,介电常数低的低介电常数介电体(6a)被配置在电极(5)一侧,介电常数为低介电常数介电体(6a)的介电常数以上并且比低介电常数介电体(6a)的耐等离子体性高的耐等离子体性介电体(6b)被配置在处理室的处理空间一侧。 |
申请公布号 |
CN101609779B |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN200910146311.8 |
申请日期 |
2009.06.19 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
南雅人;佐佐木芳彦 |
分类号 |
H01J37/21(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/21(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种聚焦环,其特征在于:该聚焦环是安装在配设于实施等离子体处理的处理室内的电极的周缘部上且层叠介电常数不同的多个介电体而形成的多层结构的聚焦环,其中,介电常数低的低介电常数介电体被配置在所述电极一侧,介电常数为所述低介电常数介电体的介电常数以上并且耐等离子体性比所述低介电常数介电体的耐等离子体性高的耐等离子体性介电体被配置在所述处理室的处理空间一侧。 |
地址 |
日本东京都 |