发明名称 | 用于制造半导体器件的方法 | ||
摘要 | 本发明的目的在于提高在对薄膜集成电路进行密封过程中的生产效率,并且防止损失和破坏。还有,本发明的另外一个目的在于防止薄膜集成电路在运输过程中遭受损伤,并且使得易于搬运薄膜集成电路。本发明提供了一种层压系统,其中使用辊来供给密封用基底、接收IC芯片、分离以及密封。对大量的薄膜集成电路进行分离、密封和接收操作可以通过旋转所述辊来连续地进行;因此,可以极大地提高生产效率。还有,由于使用了相互对置的辊对,因此可以轻易地所述密封薄膜集成电路。 | ||
申请公布号 | CN101789378B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
申请号 | CN200910002857.6 | 申请日期 | 2005.05.31 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 渡边了介;高桥秀和;鹤目卓也 |
分类号 | H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曾祥夌;杨松龄 |
主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法,包括下述步骤:在第一基底之上形成薄膜集成电路,每个所述薄膜集成电路包含薄膜晶体管;将所述第一基底附着在第二基底上,并将所述薄膜集成电路置于所述第一基底和所述第二基底之间;将所述薄膜集成电路从所述第一基底分离;将所述第二基底附着在第三基底上,使得所述薄膜集成电路被密封在所述第二基底和所述第三基底之间;和利用激光将所述第二基底和所述第三基底切割成多个芯片,每个芯片包含至少一个所述薄膜集成电路。 | ||
地址 | 日本神奈川县厚木市 |