一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法

摘要

本发明公开了一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法，其中，包括以下步骤：建立光刻工艺，确定光刻工艺条件；采集原始光刻版图数据；确定一烘烤上限温度，对光刻胶进行曝光、烘烤，采集曝光后烘烤的数据，建立第一OPC模型；确定一烘烤下限温度，对所述光刻胶进行曝光、烘烤，采集曝光后烘烤下限温度数据，建立第二OPC模型；利用原始光刻版图数据，分别对所述第一OPC模型、所述第二OPC模型进行光刻规则检查，确定是否存在光刻缺陷。本发明通过建立曝光后不同烘烤温度下的OPC模型，可以确定在温度不同时光刻后图形所产生的变化，一旦缺陷或尺寸变化存在很严重的问题时，可以进一步调整温度，确立新的工艺条件。

主权项

一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法，其特征在于，包括以下步骤：    建立光刻工艺，确定光刻工艺条件；    采集原始光刻版图数据；    确定一烘烤上限温度，在衬底上涂抹一层光刻胶并对所述光刻胶进行曝光、烘烤，采集光刻胶曝光后在上限温度条件下烘烤所获得的光刻图形的数据，建立第一OPC模型；    确定一烘烤下限温度，在衬底上涂抹一层所述光刻胶对所述光刻胶进行曝光、烘烤，采集光刻胶曝光后在下限温度条件下烘烤所获得的光刻图形的数据，建立第二OPC模型；    利用原始光刻版图数据，分别对所述第一OPC模型、所述第二OPC模型进行光刻规则检查，并确定原始光刻版图数据是否存在光刻缺陷。