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发明名称
开孔定阻式晶片电阻器及其制法
摘要
一种开孔定阻式晶片电阻器及其制法,系藉一结合层相对结合一基材与一具有开孔之金属片,并利用一保护层覆盖至该金属片局部表面,以使该金属片表面未覆盖该保护层之部份区隔成二电极区,俾排除知技术不必要的电流传导阻抗、有效稳定减小电阻温度系数(TCR),而基材与金属片的结合设计则可排除知技术使用半导体制程之高成本缺点,达易于制造、提升制程良率与降低成本之效。
申请公布号
TWI367502
申请公布日期
2012.07.01
申请号
TW096123656
申请日期
2007.06.29
申请人
斐成企业股份有限公司 高雄市苓雅区四维三路6号24楼之2(B室)
发明人
蔡荣泽
分类号
H01C17/07
主分类号
H01C17/07
代理机构
代理人
陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项
地址
高雄市苓雅区四维三路6号24楼之2(B室)
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