| 摘要 |
本发明系关于化合物材料晶圆的制造方法，其包含下列步骤：提供初始供体基材(1)，在该初始供体基材(1)中形成预定分裂区(4)，将该初始供体基材(1)黏接于处理基材(2)，以及由预定分裂区(4)之处分开该供体基材(1)，藉以将该初始供体基材(1)上的层(6)转移到该处理基材(2)上而形成化合物材料晶圆(10)。为了改善该方法的成本效应，该方法复包含在分开步骤之后在该供体基材其余部分(9)上沈积一层(12)以至少部分地补偿该初始供体基材(1)的厚度并且以含该沈积层(12)的供体基材(1)充当初始供体基材(1)再使用于步骤a)中。本发明亦系关于包含根据该方法制造而成的化合物材料晶圆的至少一部分之电子、光电或光学元件。 |
