| 发明名称 |
积体电路结构的形成方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种半导体结构，包括一底部半导体晶片；一上晶粒接合于半导体晶片之上；一保护材料包围底部晶粒以及为于底部半导体晶片之上；以及一平坦介电层位于上晶粒与保护材料之上。保护材料之上表面与上晶粒之上表面等高。 |
| 申请公布号 |
TWI367532 |
申请公布日期 |
2012.07.01 |
| 申请号 |
TW097140151 |
申请日期 |
2008.10.20 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
杨固峰;邱文智;吴文进;宋明忠 |
| 分类号 |
H01L21/52;H01L21/50;H01L21/98 |
主分类号 |
H01L21/52 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
