| 摘要 |
一种液晶显示装置驱动积体电路(LDI)之多晶图形之形成方法，系用以最小化液晶显示装置驱动积体电路之电阻串图形中电阻值的变化，此种形成方法包含以下步骤：沉积一多晶矽层于一半导体基板之上，其中多晶矽层用作一电阻串结构中之电阻；以及然后形成一互连H形横截面的多晶矽层图形；以及然后形成一反矽阻挡区(SAB)层于此多晶矽层图形之上，并且然后形成此SAB层之图形用以由此当暴露多晶矽层图形之一部份时，形成SAB层图形于此多晶矽层之其他部份上；以及然后形成一矽层于多晶矽层之暴露部份之上。因此，虽然由于在制程中产生的问题引起SAB图形尺寸之减少，但是占据大部份电阻的多晶线不变化，因此彻底减少了电阻的变化。 |
