制造半导体装置之方法

摘要

本发明揭示一种制造半导体装置之方法，其包括以下步骤：于一绝缘层中形成凹陷(一通道孔与布线沟槽)；藉由使用一种基于具有一烷基之矽烷的气体作为前导物于该等凹陷之内侧表面上形成一密封层；对该密封层施加EB固化或UV固化；以及以一导体填充该等凹陷。