发明名称 具有机层结构电子装置
摘要 本发明系有关一种包含一有机层的层结构的电子装置,其中该层结构系包含一p-n-接面,该p-n-接面系介于提供当作掺杂n型掺杂物的有机基质材料的一n-型掺杂有机层及提供当作掺杂p型掺杂物的另一有机基质材料的一p-型掺杂有机层之间,而其中该n型掺杂物及该p型掺杂物均为分子掺杂物,该p-型掺杂物还原电位系等于或大于约0伏特对Fc/Fc+,该n-型掺杂物氧化电位系等于或小于约-1.5伏特对Fc/Fc+。
申请公布号 TWI367586 申请公布日期 2012.07.01
申请号 TW095148294 申请日期 2006.12.21
申请人 诺瓦发光二极体股份公司 德国 发明人 扬 宾恩史托克;安斯加尔 维尔纳;史文 穆拉诺;马尔库斯 布尔格哈特
分类号 H01L51/50 主分类号 H01L51/50
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项
地址 德国