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发明名称 METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRENCH CHARGE COMPENSATION REGIONS
摘要
申请公布号 HK1119292(A1) 申请公布日期 2012.06.29
申请号 HK20080110650 申请日期 2008.09.25
申请人 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C. 发明人 JOHN M. PARSEY, JR. M.;GORDON M. GRIVNA M.;SHANGHUI L. TU
分类号 H01L 主分类号 H01L
代理机构 代理人
主权项
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