| 摘要 |
<p>Procédé de lithographie par impression nanométrique comportant une étape de pressage d'un moule (130, 50) dans une résine photosensible (120) pour y former au moins un motif d'impression (127) délimité par une zone emboutie (129) et une zone adjacente (128), ladite zone adjacente (128) étant moins ou non emboutie et présentant une épaisseur supérieure à celle de la zone emboutie (129), une étape d'exposition à une dose d'insolation, caractérisé en ce que les épaisseurs respectives desdites deux zones sont définies de sorte que lesdites deux zones présentent un différentiel d'absorption de la dose d'insolation et en ce que la dose d'insolation apportée par l'étape d'exposition est déterminée de sorte à être suffisamment importante pour activer la résine au niveau de celle parmi lesdites deux zones qui présente la plus forte absorption et de sorte à ne pas être suffisamment importante pour activer l'autre desdites deux zones.</p> |
