Selbstjustierter Steg-Transistor, der auf einem Vollsubstrat durch eine späte Stegätzung hergestellt ist

摘要

Nicht-planare Transistoren, etwa FinFET's werden in einer Vollsubtratkonfiguration im Zusammenhang mit einem Austauschgateverfahren hergestellt, wobei die Halbleiterstege während der Austauschgatesequenz erzeugt werden. Dazu wird in einigen anschaulichen Ausführungsformen eine vergrabene Ätzmaske in einer frühen Fertigungsphase auf der Grundlage verbesserter Prozessbedingungen erzeugt.