发明名称 Halbleiterbauelement und -packung sowie Verfahren zur Übertragung von Temperaturinformation
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit wenigstens einem Halbleiterchip mit einem Temperatursensor und/oder einem Durchsubstratkontakt, auf eine zugehörige Halbleiterpackung und eine Halbleiterspeicherpackung sowie auf ein zugehöriges Verfahren zumÜbertragen von Temperaturinformationen.In einem Aspekt stellt die Erfindung ein Halbleiterbauelement für eine Halbleiterpackung bereit, wobei das Bauelement wenigstens einen ersten Halbleiterchip (LA1) beinhaltet, der einen ersten Temperatursensorschaltkreis (211A), der so konfiguriert ist, dass er eine zu dem ersten Halbleiterchip in Bezug stehende erste Temperaturinformation abgibt, einen ersten Bondhügel (212), der mit dem ersten Temperatursensorschaltkreis elektrisch verbunden ist, ohne mit einem Durchsubstratkontakt elektrisch verbunden zu sein, und einen zweiten Bondhügel beinhaltet, der mit einem Durchsubstratkontakt des ersten Halbleiterchips elektrisch verbunden ist.Verwendung z. B. in der Halbleiterspeichertechnologie.
申请公布号 DE102011088610(A1) 申请公布日期 2012.06.28
申请号 DE20111088610 申请日期 2011.12.14
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KIM, JUNG-SIK;LEE, DONG-HYUK;LEE, HO-CHEOL;RYU, JANG-WOO
分类号 H01L25/065;G01K7/01;H01L23/488;H01L23/50;H01L23/52;H01L23/60 主分类号 H01L25/065
代理机构 代理人
主权项
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