发明名称 COMPLETE RECRYSTALLIZATION OF SEMICONDUCTOR WAFERS
摘要 The instant disclosure relates to a device and method for recrystallising a silicon wafer or a wafer comprising at least one silicon layer. The silicon wafer or the at least one silicon layer of the wafer is totally molten.
申请公布号 US2012164760(A1) 申请公布日期 2012.06.28
申请号 US201013386597 申请日期 2010.07.22
申请人 STRABONI ALAIN;S'TILE 发明人 STRABONI ALAIN
分类号 H01L21/66;F27B9/00 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人
主权项
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