发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Implantats
摘要 Verfahren zur Herstellung eines Implantats, das einen Schritt des Aufrauens der Oberfläche eines Implantats durch das Sandstrahlverfahren aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Aufrauens der Oberfläche des Implantats einen Schritt des Aufprallens von Strahlgut auf die Oberfläche des Implantats aufweist, wobei das Strahlgut Fluoroapatit aufweist, wobei das Verfahren zum Herstellen eines Implantats weiterhin aufweist: einen Schritt des Entfernens von Strahlgut, der nach dem Schritt des Aufrauens der Oberfläche des Implantats durchgeführt wird, indem Säure auf das Implantat gegeben wird, wobei das Strahlgut, das an der Oberfläche des Implantats angelagert ist, aufgelöst und entfernt wird, einen Beschichtungsschritt der Sputterbeschichtung einer auf Kalziumphosphat basierenden Materialschicht auf das Implantat nach dem Schritt des Entfernens von Strahlgut, und einen hydrothermalen Behandlungsschritt unter Verwendung einer wässrigen Alkalilösung, der nach dem Beschichtungsschritt durchgeführt wird.
申请公布号 DE112008000032(B4) 申请公布日期 2012.06.28
申请号 DE20081100032T 申请日期 2008.12.09
申请人 YAMAHACHI DENTAL MFG., CO. 发明人 AOKI, HIDEKI;TOYAMA, MASASHI;FUJIMAKI, HIROTO;HASHIMOTO, HIROKI
分类号 A61C8/00;A61F2/28;B24C1/06;B24C11/00 主分类号 A61C8/00
代理机构 代理人
主权项
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