发明名称 Strahlungsrichtungssensor und Verfahren zur Ermittlung des Einfallswinkels einer Strahlungsquelle
摘要 Die Erfindung betrifft einen Strahlungsrichtungssensor 1 sowie ein entsprechendes Verfahren zur Bestimmung des Einfallswinkels einer Strahlungsquelle. Aufgabe der Erfindung ist es, einen Strahlungsrichtungssensor 1 zu schaffen, der leicht integrierbar in die Geräte und Einrichtungen ihres jeweiligen Einsatzgebiets ist, einen sehr einfachen Aufbau aufweist und trotz hoher räumlicher Auflösbarkeit den Aufwand für die Auswertung minimiert. Desweiteren soll ein Verfahren angegeben werden, um mit einer solchen Vorrichtung den Einfallswinkel und ggf. die Strahlungsintensität einer Strahlungsquelle zu bestimmen. Diese Aufgabe wird gelöst durch einen Strahlungsrichtungssensor 1, der in einer Halbleiterschicht 6 eine Diodenanordnung 5 von Avalanche-Fotodioden 4 und eine anwendungsspezifische, integrierte Schaltung, eine Distanzschicht 8, eine darauf befindliche Blendenstruktur 9 sowie Mittel zur elektrischen Anbindung des Strahlungsrichtungssensors 1 enthält, wobei diese direkt übereinanderliegenden Schichten und Strukturen in Ihrer Form, Größe bzw. Dicke aufeinander abgestimmt sind. Ein entsprechendes Mess- und Auswerteverfahren wird angegeben.
申请公布号 DE102010064140(A1) 申请公布日期 2012.06.28
申请号 DE20101064140 申请日期 2010.12.23
申请人 SILICON MICRO SENSORS GMBH 发明人 BUSSE, ERIK;PRINZ VON HESSEN, WILHELM
分类号 G01J1/06 主分类号 G01J1/06
代理机构 代理人
主权项
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