Transistor mit einer eingebetteten Sigma-förmigen Halbleiterlegierung mit erhöhter Gleichmäßigkeit

摘要

Wenn eine verformungsinduzierende Halbleiterlegierung in eine Art von komplexen Transistoren eingebaut wird, kann das Entfernen von Opferdeckmaterialien, etwa einer Abstandshalterschicht, Opferabstandshalterelementen und dielektrischen Deckmaterialien bewerkstelligt werden, indem zumindest in einer ersten Phase des Abtragungsprozesses ein effizientes Ätzstoppbeschichtungsmaterial verwendet wird, das somit den Materialverlust in den Drain- und Sourceerweiterungsgebieten verringert, die vor dem Abscheiden des verformungsinduzierenden Halbleitermaterials hergestellt werden. Ferner können die Drain- und Sourceerweiterungsgebiete in der anderen Transistorart mit besserer Prozessgleichmäßigkeit auf Grund eines geringeren Materialverlusts der jeweiligen Abstandshalterelemente hergestellt werden.