Gruppe-III-Nitrid basierte Schichtenfolge, Halbleiterbauelement, umfassend eine Gruppe-III-Nitrid basierte Schichtenfolge und Verfahren zur Herstellung

摘要

Gruppe-III-Nitrid basierte Schichtenfolge und daraus hergestelltes Halbleiterbauelement wie Hochspannungs-Schottky- oder p-i-n Dioden werden in der Regel auf einem Heterosubstrat hergestellt, haben dann eine hohe Versetzungsdichte und wenn sie auf Silizium hergestellt, auch eine starke Tendenz zum Reißen der Schicht nach dem Schichtherstellungsprozess. Die erfindungsgemäße Schichtenfolge bzw. das daraus hergestellte Bauelement vermeidet die Rissbildung und die häufig auftretende geringe Bauelementleistung aufgrund von Versetzungsdefekten. Das Verfahren ermöglicht zudem das Wachstum einer hoch n-Typ dotierten Schicht, bei der die Verspannung auch bei hohen Versetzungsdichten sich nicht aufgrund der Dotierung ändert und somit ein erfindungsgemäßes Bauelement auf Siliziumsubstraten erst ermöglicht.