发明名称 Kostenoptimiertes Verfahren zum Bilden von hoch dichten passiven Kondensatoren zum Ersetzen diskreter Kondensatoren unter Verwendung eines kostenoptimierten modularen 3D-Wafer-Wafer-Integrationsschemas
摘要 Passive 3D-IC-Kondensatorstapel hoher Dichte und Verfahren, die für die Integration von Kondensatoren und integrierten Schaltungen in einer Wafer-Wafer-Bondingprozess sorgen, der die Integration der Kondensatoren bereitstellt, die auf einem Wafer gebildet sind, allein oder mit aktiven Vorrichtungen, mit einer oder mehreren integrierten Schaltungen auf einem oder mehreren zusätzlichen Wafern, die gemäßdem Prozess gestapelt sein können. Das Wafer-Wafer-Bonding erfolgt vorzugsweise durch Thermokompression, wobei Schleifen und chemisch-mechanisches Polieren verwendet werden, um Aspekte des Herstellungsprozesses zu vereinfachen. Es werden verschiedene Merkmale und alternative Ausführungsformen offenbart.
申请公布号 DE112010000142(T5) 申请公布日期 2012.06.28
申请号 DE20101100142T 申请日期 2010.01.07
申请人 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC. 发明人 ELLUL, JOSEPH P.;TRAN, KHANH;BERGEMONT, ALBERT
分类号 H01L21/334;H01L21/02;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/48;H01L25/065;H01L27/06;H01L29/94 主分类号 H01L21/334
代理机构 代理人
主权项
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