发明名称 |
Kostenoptimiertes Verfahren zum Bilden von hoch dichten passiven Kondensatoren zum Ersetzen diskreter Kondensatoren unter Verwendung eines kostenoptimierten modularen 3D-Wafer-Wafer-Integrationsschemas |
摘要 |
Passive 3D-IC-Kondensatorstapel hoher Dichte und Verfahren, die für die Integration von Kondensatoren und integrierten Schaltungen in einer Wafer-Wafer-Bondingprozess sorgen, der die Integration der Kondensatoren bereitstellt, die auf einem Wafer gebildet sind, allein oder mit aktiven Vorrichtungen, mit einer oder mehreren integrierten Schaltungen auf einem oder mehreren zusätzlichen Wafern, die gemäßdem Prozess gestapelt sein können. Das Wafer-Wafer-Bonding erfolgt vorzugsweise durch Thermokompression, wobei Schleifen und chemisch-mechanisches Polieren verwendet werden, um Aspekte des Herstellungsprozesses zu vereinfachen. Es werden verschiedene Merkmale und alternative Ausführungsformen offenbart. |
申请公布号 |
DE112010000142(T5) |
申请公布日期 |
2012.06.28 |
申请号 |
DE20101100142T |
申请日期 |
2010.01.07 |
申请人 |
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC. |
发明人 |
ELLUL, JOSEPH P.;TRAN, KHANH;BERGEMONT, ALBERT |
分类号 |
H01L21/334;H01L21/02;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/48;H01L25/065;H01L27/06;H01L29/94 |
主分类号 |
H01L21/334 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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