具有良好n型欧姆接触的发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具有良好n型欧姆接触的发光二极管及其制作方法。在本发明中，发光二极管，在发光外延层的n侧上形成一电子浓度达1×1018cm-3以上的高掺杂n型欧姆接触缓冲层，当去除生长衬底时，露出表面的n型欧姆接触缓冲层，其为低能隙、非氮极性面N型GaN基材料，n型欧姆接触电极制作在该n型欧姆接触缓冲层上，可沿用Ti/Al欧姆接触电极，因此可以完全避开氮极性面欧姆接触的问题，且可保证薄膜GaN基发光器件具有较低的工作电压。

主权项

具有良好n型欧姆接触的发光二极管外延结构的制造方法，包括以下步骤：提供一生长衬底；在生长衬底上形成一掺杂n型欧姆接触缓冲层，其电子浓度大于或等于1×1018cm‑3；在n型欧姆接触缓冲层上外延生长发光外延层，其至下而上至少包括：n型半导体层 、活性层、p型半导体层。