| 发明名称 | 激光二极管装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种激光二极管装置。该激光二极管装置包括：基板；半导体层叠结构，包括在该基板的一个表面侧上的第一导电覆层、有源层和第二导电覆层，并且具有作为最顶层的接触层，其中突起形成在接触层和第二导电覆层中；以及电极，设置在接触层上。接触层具有在电极侧的表面上的凹凸结构，并且电极在凹凸结构的顶面、侧面和底面的接触点与接触层接触。该激光二极管能实现低电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101826698B | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
| 申请号 | CN201010129455.5 | 申请日期 | 2010.03.03 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 小幡俊之 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01)I;H01S5/223(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种激光二极管装置，包括：基板；半导体层叠结构，包括在该基板的一个表面侧上的第一导电覆层、有源层和第二导电覆层，并且具有作为最上层的接触层，其中在该接触层和该第二导电覆层中形成突起；以及电极，设置在该接触层上，其中该接触层在该电极侧的表面上具有凹凸结构，并且该电极在该凹凸结构的顶面、侧面和底面的接触点与该接触层接触。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||