半导体集成电路器件

摘要

本发明提供一种设有SRAM的半导体集成电路器件，它以低供给电压满足SNM和写余量的需求。该半导体集成电路器件包括：对应多个字线和多个互补位线设置的多个静态存储单元；多个存储单元电源线，每个存储单元电源线向连接到多个互补位线的每个的多个存储单元的每个供给工作电压；由电阻单元构成的多个电源电路，每个电源电路向每个存储单元电源线供给电源电压；和向互补位线供给对应电源电压的预充电电压的预充电电路，其中存储单元电源线构成为具有耦合电容，由此在相应互补位线上传输写信号。

主权项

一种半导体集成电路器件，包括：多个存储单元，每一存储单元包括：第一CMOS反相器，其具有第一P沟道MOS晶体管和第三N沟道MOS晶体管；第二CMOS反相器，其具有第二P沟道MOS晶体管和第四N沟道MOS晶体管；第一N沟道MOS晶体管，其源极和漏极中的一个连接到所述第一CMOS反相器的输出节点；以及第二N沟道MOS晶体管，其源极和漏极中的一个连接到所述第二CMOS反相器的输出节点；其中所述存储单元沿第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向以具有多行和多列的矩阵布置；多个字线，每一字线连接到与沿所述第一方向布置的存储单元对应的第一和第二N沟道MOS晶体管的栅极；多对互补位线，每一对互补位线具有分别连接到沿第二方向布置的存储单元的第一和第二N沟道MOS晶体管的源极和漏极中的另一个的一对位线，所述多对互补位线由各自的用于从存储单元读取数据的读操作和用于向存储单元写数据的写操作的位线选择信号选择；电源线，用于提供电源电压；多个存储单元电源线，与所述多对互补位线对应地设置，每个存储单元电源线向与对应的一对互补位线连接的存储单元供给工作电压；以及多个第三P沟道MOS晶体管，与所述多对互补位线对应地设置，所述多个第三P沟道MOS晶体管中的每一个的源极和漏极分别被连接到电源线和为对应的一对互补位线设置的存储单元电源线，并且所述多个第三P沟道MOS晶体管中的每一个的栅极被连接到激活信号，所述激活信号基于用于选择对应的一对互补位线的位线选择信号；其中每一存储单元具有沿第一方向布置的第一P型阱、N型阱和第二P型阱，以使得所述N型阱位于第一P型阱和第二P型阱之间，其中所述第一P型阱包括所述第一N沟道MOS晶体管和所述第 三N沟道MOS晶体管，其中所述N型阱包括所述第一P沟道MOS晶体管和所述第二P沟道MOS晶体管，以及其中，所述第二P型阱包括所述第二N沟道MOS晶体管和所述第四N沟道MOS晶体管。