发明名称 清洗介电薄膜的设备及方法
摘要 本发明是提供一种清洗介电薄膜的设备及方法。在一个实施例中,清洗介电薄膜的设备包括:腔室主体,适以将基材支撑于其内;远端等离子体源,适以提供多个反应性自由基至腔室主体;通道,将远端等离子体源耦接至腔室主体;及至少一个磁铁,设置于邻近通道处。在另一实施例中,清洗介电薄膜的方法包括:提供基材,基材设置于处理室内,并具有至少部分暴露的介电层;在远端等离子体源内产生多个反应性自由基;使反应性自由基从远端等离子体源经过通道流入处理室,且通道具有至少一个磁铁设置于邻近所述通道处;以及利用磁性过滤通过通道的反应性自由基。
申请公布号 CN101511497B 申请公布日期 2012.06.27
申请号 CN200680013354.3 申请日期 2006.11.17
申请人 应用材料公司 发明人 X·付;J·弗斯特;W·W·王
分类号 B08B6/00(2006.01)I 主分类号 B08B6/00(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆嘉
主权项 一种用于清洗一介电薄膜的设备,包括:一腔室主体,适以将一基材支撑于所述腔室主体内;一远端等离子体源,适以提供多个反应性自由基至所述腔室主体;一通道,是将所述远端等离子体源耦接至所述腔室主体,其中所述通道是至少部分具有一石英衬垫,用以过滤或者降低所述多个反应性自由基的再结合;以及至少一磁铁,设置于邻近所述通道处。
地址 美国加利福尼亚州