发明名称 | 清洗介电薄膜的设备及方法 | ||
摘要 | 本发明是提供一种清洗介电薄膜的设备及方法。在一个实施例中,清洗介电薄膜的设备包括:腔室主体,适以将基材支撑于其内;远端等离子体源,适以提供多个反应性自由基至腔室主体;通道,将远端等离子体源耦接至腔室主体;及至少一个磁铁,设置于邻近通道处。在另一实施例中,清洗介电薄膜的方法包括:提供基材,基材设置于处理室内,并具有至少部分暴露的介电层;在远端等离子体源内产生多个反应性自由基;使反应性自由基从远端等离子体源经过通道流入处理室,且通道具有至少一个磁铁设置于邻近所述通道处;以及利用磁性过滤通过通道的反应性自由基。 | ||
申请公布号 | CN101511497B | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
申请号 | CN200680013354.3 | 申请日期 | 2006.11.17 |
申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | X·付;J·弗斯特;W·W·王 |
分类号 | B08B6/00(2006.01)I | 主分类号 | B08B6/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
主权项 | 一种用于清洗一介电薄膜的设备,包括:一腔室主体,适以将一基材支撑于所述腔室主体内;一远端等离子体源,适以提供多个反应性自由基至所述腔室主体;一通道,是将所述远端等离子体源耦接至所述腔室主体,其中所述通道是至少部分具有一石英衬垫,用以过滤或者降低所述多个反应性自由基的再结合;以及至少一磁铁,设置于邻近所述通道处。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |