压力传感器及其形成方法

摘要

一种压力传感器及其形成方法，形成压力传感器的方法包括：提供半导体基底，在半导体基底内具有控制电路和互连结构，在半导体基底上形成有底部电极，互连结构将底部电极和控制电路电连接；形成牺牲层，覆盖底部电极；形成顶部电极，覆盖牺牲层的顶面、侧面以及部分半导体基底，顶部电极具有第一开口，第一开口暴露出牺牲层；通过第一开口去除牺牲层，在顶部电极和底部电极之间形成空腔；形成介质层，覆盖半导体基底和顶部电极，介质层具有呈环状的第二开口，第二开口隔离出与底部电极相对的部分顶部电极，该隔离出的部分顶部电极作为压力传感区。本技术方案形成压力传感器的方法与CMOS工艺兼容，形成方法简单。

主权项

一种形成压力传感器的方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底内具有控制电路和互连结构，在所述半导体基底上形成有底部电极，所述互连结构将所述底部电极和控制电路电连接；形成牺牲层，覆盖所述底部电极；形成顶部电极，覆盖所述牺牲层的顶面、侧面以及部分所述半导体基底，所述顶部电极具有第一开口，所述第一开口暴露出所述牺牲层；通过所述第一开口去除所述牺牲层，在所述顶部电极和底部电极之间形成空腔；形成介质层，覆盖所述半导体基底和顶部电极，所述介质层具有呈环状的第二开口，所述第二开口隔离出与所述底部电极相对的部分顶部电极，该隔离出的部分顶部电极作为压力传感区。