一种相变随机存储器阵列的制备方法

摘要

本发明属于微纳电子学技术领域，涉及一种简单易行的相变存储器阵列的制备方法，相变随机存储器阵列的每一层均依次经过清洗、匀胶、烘烤、光刻、镀膜和剥离制备获得。相变随机存储器阵列依次包括下电极层、相变层和上电极层；在下电极层与相变层之间，以及相变层和上电极层之间均可以包括绝缘层。本发明只涉及纳米加工技术和薄膜制备方法，器件结构简单，制备方法容易实施，与CMOS制造工艺兼容性好，并且可以实现大容量存储阵列的制备。

主权项

一种相变随机存储器阵列的制备方法，其特征在于，相变随机存储器阵列的每一层均依次经过清洗、匀胶、烘烤、光刻、镀膜和剥离制备获得。