| 发明名称 | 高居里点的无铅PTCR热敏陶瓷材料 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体陶瓷材料，尤其是符合高居里点、无铅陶瓷材料实现半导化，制备无铅、高居里点(大于120℃)、具有正的电阻温度系数(PTCR)的热敏陶瓷电阻材料，该材料的成分组成为：(Bi1/2K1/2-a/2Naa/2)Ce1-bDbO3，其中a＝0～1，b＝0.0005～0.005。本发明的高居里点PTCR热敏陶瓷材料中不含铅，所用原料来源广泛丰富，避免了电阻元器件制造和使用过程中铅对环境与人体的危害。本发明解决了无铅高居里点PTCR热敏陶瓷电阻材料的成分设计和材料半导化的技术难题，并能通过调节主成分的配方实现较宽温度范围的居里点的可调性。 | ||
| 申请公布号 | CN101792316B | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
| 申请号 | CN201010102113.4 | 申请日期 | 2010.01.28 |
| 申请人 | 中南大学 | 发明人 | 张鸿;李志成 |
| 分类号 | C04B35/50(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中南大学专利中心 43200 | 代理人 | 胡燕瑜 |
| 主权项 | 一种高居里点的无铅PTCR热敏陶瓷材料，其特征是材料的成分组成为：(Bi1/2K1/2‑a/2Naa/2)Ce1‑bDbO3，其中a＝0～1，b＝0.0005～0.005，D为微量半导化元素，是Sb、Nb、Ta、V、Mo、W元素中的至少一种元素，其含量占材料总量的0.05～0.5mol％。 | ||
| 地址 | 410083 湖南省长沙市麓山南路1号 | ||