对可见光响应的含钼半导体光催化材料及其制备方法和用途

摘要

本发明涉及对可见光响应的含钼半导体光催化材料，其分子式为M2M1FeMoO6，式中M1＝Li、Na、K、Rb或Cs；M2＝Be、Mg、Ca、Sr或Ba。其制备方法包括如下步骤：按含M1的化合物、含M2的化合物、含Fe的化合物、含Mo的化合物中的M1、Fe、M2、Mo的摩尔比＝1∶1∶1∶1的比例放入研钵中研磨混合均匀，经过预烧处理后升温到800～1200℃恒温1～160小时，即可得到对可见光响应的含钼半导体光催化材料。本发明材料能带带隙很低，在可见光照射下有很好的吸收，可用于对太阳光进行全光谱吸收；或用于在可见光照射下除空气中的有害物质和杀菌；或用于作为光电转换材料；或用于光催化分解水制氢气和氧气；或用于降解去除污水中对人有害的有机物质。本发明合成成本低廉、方法简单易行。

主权项

对可见光响应的含钼半导体光催化材料，其分子式为M2M1FeMoO6，式中M1＝Li、Na、K、Rb或Cs；M2＝Be、Mg、Ca、Sr或Ba；所述对可见光响应的含钼半导体光催化材料由包括如下步骤的方法制得：1)原料的选取：按含M1的化合物、含M2的化合物、含Fe的化合物、含Mo的化合物中的M1、M2、Fe、Mo的摩尔比＝1∶1∶1∶1的比例配料，备用；所述的含M1的化合物为含M1的氧化物、含M1的氢氧化物、含M1的卤化物、含M1的碳酸盐、含M1的硝酸盐、含M1的硫酸盐或含M1的乙酸盐，其中M1为Li、Na、K、Rb或Cs；所述的含M2的化合物为含M2的氧化物、含M2的氢氧化物、含M2的卤化物、含M2的碳酸盐或含M2的硝酸盐；所述的M2为Be、Mg、Ca、Sr或Ba；所述的含Fe的化合物为含Fe的氧化物、含Fe的氢氧化物、含Fe的卤化物、含Fe的碳酸盐、含Fe的硝酸盐或含Fe的硫酸盐；所述的含Mo的化合物为含Mo的氧化物、含Mo的氢氧化物、含Mo的卤化物、含Mo的碳酸盐、含Mo的硝酸盐、含Mo的硫酸盐或含Mo的钨酸盐；2)将含M1的化合物、含M2的化合物、含Fe的化合物和含Mo的化合物混合均匀，研磨成微米级别粉末，在500℃预烧1～12小时，再升温到800～1200℃恒温1～160小时，升温速率为1‑50℃/分钟，并加以1～5Mpa压力处理；自然冷却至室温后得到可见光响应的含钼半导体光催化材料。