| 发明名称 | 带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管及方法 | ||
| 摘要 | 一种带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管，包括N型碳化硅衬底，在N型碳化硅衬底上设N型外延层，在N型外延层内设源和P型漂移区，在P型漂移区内设有漏和N型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与P型漂移区之间的N型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在N型保护环的表面、漏的表面以及N型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在N型碳化硅衬底与N型外延层之间设P型浮置埋层，且所述P型浮置埋层位于N型碳化硅衬底与N型外延层交界面上。其制备方法是选择N型碳化硅衬底后，采用注入硼离子的方法制备P型浮置埋层，再进行其它常规操作。 | ||
| 申请公布号 | CN101872785B | 申请公布日期 | 2012.06.27 |
| 申请号 | CN201010198486.6 | 申请日期 | 2010.06.11 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 钱钦松;庄华龙;孙伟锋;潘晓芳;陆生礼;时龙兴 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 黄雪兰 |
| 主权项 | 一种带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管，包括：N型碳化硅衬底(1)，在N型碳化硅衬底(1)上设有N型外延层(2)，在N型外延层(2)内设有源(4)和P型漂移区(3)，在P型漂移区(3)内设有漏(5)和N型保护环(7)，在源(4)上设有源的金属引线(12)，在漏(5)上设有漏的金属引线(11)，在源(4)与P型漂移区(3)之间的N型外延层(2)的上方设有栅氧化层(6)且与源的金属引线(12)邻接，在N型保护环(7)的表面、漏(5)的漏的金属引线(11)以外的表面、P型漂移区(3)的漏(5)和N型保护环(7)以外的表面以及N型外延层(2)的源的金属引线(12)和栅氧化层(6)以外的表面设有场氧化层(8)，在栅氧化层(6)上设有栅(10)，在漏的金属引线(11)上设有金属场极板(9)，其特征在于，在N型碳化硅衬底(1)与N型外延层(2)之间设有P型浮置埋层(13)，且所述P型浮置埋层(13)位于N型碳化硅衬底(1)与N型外延层(2)交界面上。 | ||
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