发明名称 |
一种改善相变材料抛光后表面质量的抛光液 |
摘要 |
本发明提供了一种用于相变存储器的化学机械抛光液,包括抛光颗粒、氧化剂、表面改善剂和水性介质;以所述抛光液总重量为基准计,所述抛光颗粒的含量为0.1-30wt%,所述氧化剂的含量为0.01-10wt%,所述表面改善剂的含量为0.0001-5wt%。通过本发明提供的上述抛光液,对相变存储器件做抛光处理,可显著改善抛光后相变材料表面质量,实现对小于1nm的低表面粗糙度和微缺陷(腐蚀坑、残留、划痕和抛光雾等)的控制。 |
申请公布号 |
CN102516878A |
申请公布日期 |
2012.06.27 |
申请号 |
CN201110411337.8 |
申请日期 |
2011.12.12 |
申请人 |
上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
王良咏;刘卫丽;宋志棠;刘波;钟旻 |
分类号 |
C09G1/02(2006.01)I;C09K5/02(2006.01)I |
主分类号 |
C09G1/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
许亦琳;余明伟 |
主权项 |
一种用于相变存储器的化学机械抛光液,包括抛光颗粒、氧化剂、表面改善剂和水性介质;以所述抛光液总重量为基准计,所述抛光颗粒的含量为0.1‑30wt%,所述氧化剂的含量为0.01‑10wt%,所述表面改善剂的含量为0.0001‑5wt%。 |
地址 |
201506 上海市金山区金山工业区天工路285弄2幢 |