发明名称 Methods of forming independently programmable memory segments in isolated N-wells within a PMOS EEPROM device
摘要
申请公布号 EP1090425(B1) 申请公布日期 2012.06.27
申请号 EP20000918141 申请日期 2000.03.17
申请人 MICROCHIP TECHNOLOGY INC. 发明人 GERBER, DONALD, S.;YACH, RANDY, L.;HEWITT, KENT, D.;SPADINI, GIANPAOLO
分类号 H01L21/8247;H01L27/115;G11C16/04;H01L21/8234;H01L27/02;H01L27/088;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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