发明名称 |
图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括半导体衬底、光电二极管结构、滤色镜和微透镜。该半导体衬底包括第一区域和围绕该第一区域的第二区域,第一区域和第二区域具有多个像素区域。所述多个像素区域设置成矩阵结构。每个光电二极管结构具有位于各个像素区域中的光电二极管。所述滤色镜设置在光电二极管结构之上或上方,所述多个滤色镜分别与多个像素区域相对应,并且所述多个滤色镜的面积与光线的入射角度成反比。 |
申请公布号 |
CN101211948B |
申请公布日期 |
2012.06.27 |
申请号 |
CN200710305317.6 |
申请日期 |
2007.12.26 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
金承显 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
冯志云 |
主权项 |
一种图像传感器,包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域,所述第一区域和所述第二区域具有多个像素区域,所述多个像素区域具有矩阵结构;光电二极管,位于每个所述像素区域中;多个滤色镜,与所述多个像素区域分别对应,所述多个滤色镜的面积与光线的入射角度成反比;以及多个微透镜,位于所述多个滤色镜上。 |
地址 |
韩国首尔 |