三维存储器集成电路的互连线层

摘要

一个系统芯片(SoC)含有嵌入式处理器(eP)和嵌入式存储器(eM)，eP所需的互联层数目大于eM。为了利用eM上方的闲置空间，本发明提供了一种三维存储器集成电路(3D-M SoC)，它将三维存储器(3D-M)集成到SoC的eM上方。相应地，3D-M SoC具有两层相邻互连线，它们在eM上方(即3D-M内)是单向电连接，在eP内是双向电连接。

主权项

一种三维存储器集成电路，其特征在于含有一嵌入式处理器区域(0EP)和一嵌入式存储器区域(0EM)，并含有紧邻的第一和第二互连线层(IL3，IL4)，其中：1)所述嵌入式处理器区域内含有多个通道孔(38)，所述通道孔对所述第一和第二互连线层提供双向电连接；2)所述嵌入式存储器区域上含有多个三维存储器(3D‑M)膜(36)，所述3D‑M膜为所述第一和第二互连线层提供单向电连接。