光学邻近修正的方法

摘要

本发明公开了一种光学邻近修正的方法，该方法包括：提供包括主图案图形的晶片；在所述主图案图形的空隙处插入散射条SBAR；交替修正主图案图形和SBAR，达到目标图案。采用该方法进一步优化了SBAR的尺寸，大大增大了工艺窗口的大小。

主权项

一种光学邻近修正的方法，该方法包括：提供包括主图案图形的晶片；在所述主图案图形的空隙处插入散射条SBAR，所述SBAR不在晶片上显示，设定SBAR曝光强度阈值；交替修正主图案图形和SBAR，达到目标图案；所述交替修正主图案图形和SBAR的方法为：设定主图案可见，然后根据SBAR的光强分布和曝光强度阈值，对SBAR的尺寸进行修正；设定SBAR可见，对主图案的尺寸进行修正，上述步骤反复循环几次；或者所述交替修正主图案图形和SBAR的方法为：设定SBAR可见，对主图案的尺寸进行修正；设定主图案可见，然后根据SBAR的光强分布和曝光强度阈值，对SBAR的尺寸进行修正，上述步骤反复循环几次。